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1200A IGBT測試之T3Ster熱阻測試系統(tǒng)

發(fā)布時間: 2015-10-14   瀏覽次數(shù):   作者:邁昂科技

      在當今快速發(fā)展的工業(yè)領域里,電子元器件完成了極其偉大的功能。其中功率器件比如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、場效應管(MOSFET)、雙極性晶體管(BJT)、功率MOSFET等已經(jīng)廣泛應用于越來越多的領域。如何來評估這些功率器件的熱阻特性,我們通常會用到T3Ster熱阻測試系統(tǒng)。


      T3Ster熱阻測試系統(tǒng)是一種獨特的設備,它能夠對包括電力電子器件在內的半導體器件的熱特性進行測量,從而對器件的散熱設計進行優(yōu)化,對散熱性能進行針對性的改善。


      T3Ster熱阻測試系統(tǒng)不僅適用于半導體器件的熱特性的測量和分析,還可評估半導體器件的封裝水平,可以對半導體器件封裝的缺陷進行檢測,以及在半導體器件進行可靠性測試后,對封裝水平的進行再評估。


      此系統(tǒng)可以測試晶閘管、功率晶體管,大功率LED,MOSFET 和其他功率器件。

圖1:1200A T3Ster熱阻測試系統(tǒng)


1200A T3Ster 熱阻測試系統(tǒng)的優(yōu)勢在于:
1、 結溫度測量精度高,器件結溫度的測量精度為 0.01°C;
2、 從加熱狀態(tài)和測量狀態(tài)切換時間短,僅為 1μs;
3、 測試采樣速率高且時間短,1μs /次,即1秒鐘可以采樣一百萬次;
4、 采用先進的靜態(tài)測試方法進行瞬態(tài)熱測試,測試周期短,測試的重復性好;


1200A T3Ster 熱阻測試系統(tǒng)可以輸出如下的電氣參數(shù):
1、 加熱電流:在器件電壓 0~7V 的范圍內,加熱電流在 0~1200A 范圍內線性輸出;
2、 測試電流:在器件電壓 0~7V 的范圍內,測試電流在 0~2A 范圍內線性輸出;
3、 Gate 控制電壓:0~30V 范圍內線性輸出;
4、 脈沖電流寬度:10ms~無窮大;


1200A T3Ster 熱阻測試系統(tǒng)滿足如下的要求:
1、 被測試器件數(shù):每次進行一個 DUT 測試;
2、 具有 Power Cycle 的功能:循環(huán)次數(shù) 1~無窮大;
3、 適用的溫度測試方法:器件的導通電壓作為溫度敏感參數(shù);

4、 適用的瞬態(tài)測試方法:靜態(tài)測試法(持續(xù)加熱,冷卻中連續(xù)測試),動態(tài)測試方法(脈沖加熱,單點測試)。



     1200A T3Ster熱阻測試系統(tǒng)能對電力電子器件暨大功率半導體器件進行瞬態(tài)熱阻抗和穩(wěn)態(tài)熱阻測試,具有可靠、方便、準確地對被測半導體器件進行溫度敏感參數(shù)的測量和校準的能力。溫度敏感參數(shù)在測量和校準時,可采用外部液體循環(huán)器控制環(huán)境溫度,從而對被測半導體器件的升溫和冷卻進行控制。

 
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