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      在當(dāng)今快速發(fā)展的工業(yè)領(lǐng)域里，電子元器件完成了極其偉大的功能。其中功率器件比如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）、雙極性晶體管（BJT）、功率MOSFET等已經(jīng)廣泛應(yīng)用于越來(lái)越多的領(lǐng)域。如何來(lái)評(píng)估這些功率器件的熱阻特性，我們通常會(huì)用到T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)。

      T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)是一種獨(dú)特的設(shè)備，它能夠?qū)Π娏﹄娮悠骷趦?nèi)的半導(dǎo)體器件的熱特性進(jìn)行測(cè)量，從而對(duì)器件的散熱設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，對(duì)散熱性能進(jìn)行針對(duì)性的改善。

      T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)不僅適用于半導(dǎo)體器件的熱特性的測(cè)量和分析，還可評(píng)估半導(dǎo)體器件的封裝水平，可以對(duì)半導(dǎo)體器件封裝的缺陷進(jìn)行檢測(cè)，以及在半導(dǎo)體器件進(jìn)行可靠性測(cè)試后，對(duì)封裝水平的進(jìn)行再評(píng)估。

      此系統(tǒng)可以測(cè)試晶閘管、功率晶體管，大功率LED，MOSFET 和其他功率器件。

圖1:1200A T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)

1200A T3Ster 熱阻測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)在于：
1、 結(jié)溫度測(cè)量精度高，器件結(jié)溫度的測(cè)量精度為 0.01°C；
2、 從加熱狀態(tài)和測(cè)量狀態(tài)切換時(shí)間短，僅為 1μs；
3、 測(cè)試采樣速率高且時(shí)間短，1μs /次，即1秒鐘可以采樣一百萬(wàn)次；
4、 采用先進(jìn)的靜態(tài)測(cè)試方法進(jìn)行瞬態(tài)熱測(cè)試，測(cè)試周期短，測(cè)試的重復(fù)性好；

1200A T3Ster 熱阻測(cè)試系統(tǒng)可以輸出如下的電氣參數(shù)：
1、 加熱電流：在器件電壓 0~7V 的范圍內(nèi)，加熱電流在 0~1200A 范圍內(nèi)線性輸出；
2、 測(cè)試電流：在器件電壓 0~7V 的范圍內(nèi)，測(cè)試電流在 0~2A 范圍內(nèi)線性輸出；
3、 Gate 控制電壓：0~30V 范圍內(nèi)線性輸出；
4、 脈沖電流寬度：10ms~無(wú)窮大；

1200A T3Ster 熱阻測(cè)試系統(tǒng)滿足如下的要求：
1、 被測(cè)試器件數(shù)：每次進(jìn)行一個(gè) DUT 測(cè)試；
2、 具有 Power Cycle 的功能：循環(huán)次數(shù) 1~無(wú)窮大；
3、 適用的溫度測(cè)試方法：器件的導(dǎo)通電壓作為溫度敏感參數(shù)；

4、 適用的瞬態(tài)測(cè)試方法：靜態(tài)測(cè)試法（持續(xù)加熱，冷卻中連續(xù)測(cè)試），動(dòng)態(tài)測(cè)試方法（脈沖加熱，單點(diǎn)測(cè)試）。

     1200A T3Ster熱阻測(cè)試系統(tǒng)能對(duì)電力電子器件暨大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行瞬態(tài)熱阻抗和穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試，具有可靠、方便、準(zhǔn)確地對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行溫度敏感參數(shù)的測(cè)量和校準(zhǔn)的能力。溫度敏感參數(shù)在測(cè)量和校準(zhǔn)時(shí)，可采用外部液體循環(huán)器控制環(huán)境溫度，從而對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的升溫和冷卻進(jìn)行控制。